Arabic |
has gloss | ara: التنضيد يشير إلى طريقة ترسيب طبقة متبلورة منتظمة علي ركازة متبلرة. يستخدم التنضيد في الصناعات القائمة على السليكون ويعتمد على ضبط مقاومة المادة المترسبة وسمكها ونقاوتها. |
lexicalization | ara: تنضيد |
Bulgarian |
has gloss | bul: Епитаксия e ориентираната кристализация на едно вещество върху повърхността на монокристална подложка от друго вещество, по такъв начин, че неговата кристална решетка е идентична с тази на подложката. Епитаксията е основен технологичен процес в производството на полупроводници и интегрални схеми. Благодарение на нея се получават много тънки хомогенни кристални слоеве (10-20 μm). |
lexicalization | bul: Епитаксия |
Catalan |
lexicalization | cat: epitàxia |
Czech |
has gloss | ces: Epitaxe je proces, při němž na povrchu podložky (substrátu) roste tenká krystalická vrstva. Krystalická mřížka nově vznikající vrstvy navazuje bezprostředně na krystalickou mřížku substrátu. Termín epitaxe zavedl v roce 1936 L. Royer a pochází z řeckých epi "nad" a taxis "uspořádaně". |
lexicalization | ces: epitaxe |
lexicalization | ces: epitaxy |
German |
has gloss | deu: Epitaxie (v. griech. „epi“ - „auf“, „über“ und „taxis“ im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, bei welcher die kristallographische Orientierung des wachsenden Kristalls (der wachsenden Kristalle) derjenigen eines anderen Kristalls entspricht, auf dem der wachsende Kristall aufwächst. In natürlichen Prozessen funktioniert Epitaxie so, dass mehrere kleine Kristalle in räumlicher Entfernung voneinander auf einem großen Kristall aufwachsen. In technischen Prozessen sind die aufwachsenden Kristalle meist nicht räumlich voneinander getrennt, sondern bilden eine ununterbrochene Schicht. Abhängig davon, ob Substrat und aufwachsende Kristalle bzw. Schicht aus gleichem oder unterschiedlichem Material bestehen, werden auch die Bezeichnungen Homo- beziehungsweise Heteroepitaxie verwendet. |
lexicalization | deu: Epitaxie |
lexicalization | deu: Kristallwachstum |
French |
has gloss | fra: Lépitaxie est une technique de croissance orientée, lun par rapport à lautre, de deux cristaux possédant un certain nombre déléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue lhomo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et lhétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. |
lexicalization | fra: Epitaxie |
lexicalization | fra: épitaxie |
Italian |
has gloss | ita: Per epitassia si intende la deposizione di sottili strati di materiale cristallino su un substrato massivo, anchesso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. Lo spessore dello strato epitassiale può variare dalla frazione di nanometro a centinaia di micron. Lepitassia può definirsi omoepitassia quando il materiale epitassiale è lo stesso del substrato massivo, oppure eteroepitassia, quando il materiale epitassiale è chimicamente differente dal substrato. |
lexicalization | ita: epitassia |
Japanese |
has gloss | jpn: エピタキシャル成長(Epitaxial Growth)とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、液相エピタキシー法などがある。 |
lexicalization | jpn: エピタキシャル成長 |
Norwegian |
has gloss | nor: Epitaksi er en spesialisert teknikk for å produsere tynne filmer. Epitaksi (av gresk «epi» «lik» og «taxis» «på ordnet måte») beskriver ordnet vekst av en krystall på et substrat. Når vekstmaterialet er det samme som substratet kalles det homoepitaksi, når de er forskjellige kalles det heteroepitaksi. |
lexicalization | nor: epitaksi |
Polish |
has gloss | pol: Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża. |
lexicalization | pol: epitaksja |
Portuguese |
has gloss | por: Epitaxia refere-se ao método de deposição de uma película monocristalina sobre um substrato monocristalino. A película depositada é denominada como película ou camada epitaxial. O termo epitaxial origina-se das raízes gregas epi, significando "acima", e taxis, significando "de maneira ordenada". Pode ser traduzido como "arranjado sobre". |
lexicalization | por: epitaxia |
Russian |
has gloss | rus: Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другой (от — на и — упорядоченность), т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий. Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны (процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ), и гомоэпитаксию, когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией. |
lexicalization | rus: эпитаксия |
Slovak |
lexicalization | slk: epitaxa |
lexicalization | slk: epitaxia |
Castilian |
has gloss | spa: La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados. |
lexicalization | spa: epitaxia |