| Arabic |
| has gloss | ara: وصلة بي إن أو الوصلة الموجبة السالبة أو الوصلة الثنائية : يتألف من رقاقتين من شبه موصل, الرقاقة الأولى n تكون خاصية بنيتها غنية باللإلكترون (سالبة) والرقاقة الثانية p تكون خاصية بنيتها غنية بالثقوب (موجبة).عند وصل الرقاقتين تتشكل (منطقة عزل) بين الرقاقتين فيتكون لدينا صمام ثنائي Diode. و تكتسب الوصلة أهميتها من أنها حجر الأساس في صنع الثنائي و الخلايا الشمسية و المقحل زوجي الأقطاب و الثنائي الضوئي و الثنائي المشع و الثنائي الليزري و الثنائي التأثلي و المقداح و الترياك و الدياك و الكثير. |
| lexicalization | ara: وصلة بي إن |
| Belarusian |
| has gloss | bel: p-n пераход уяўляе сабою вобласьць кантакту паўправаднікоў p і n тыпу. Часьцей за ўсё ствараюць p-n пераход на аснове адзінага крышталя шляхам увядзеньня ў яго пасродкам дыфузіі донарнага і акцэптарнага дамешкаў у розных канцэнтрацыях (плаўны пераход). Стварэньне p-n пераходу злучэньнем двух адасобленых паўправаднікоў (рэзкі пераход) прыводзіць да дэфекту тыпу «Мяжа зерняў», што можа прывесьці да значнага пагаршэньня ягоных уласьцівасьцяў. Адрозьніваюць мэталюргічны і фізычны пераход. Мэталюргічны рэзкі пераход уяўляе сабою паверхню сутыкненьня паміж паўправаднікамі розных тыпаў. Мэталюргічны плаўны пераход — паверхня, на якой шчыльнасьці донараў і акцэптараў аднолькавыя. Фізычны пераход — паверхня, на якой узровень Фэрмі перасякае сярэдзіну забароненай зоны. |
| lexicalization | bel: p-n пераход |
| Bulgarian |
| has gloss | bul: p-n-преход е област в полупроводник, където p-проводимостта преминава в n-проводимост. Може да бъде създаден чрез добавяне на различни примеси в един и същ полупроводников кристал или чрез заваряване на два кристала с различна проводимост. В зависимост от начина на създаване преходът може да бъде рязък (при заваряване или стопяване) или плавен (при дифузия). Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода - граничната област в полупроводников кристал между две обособени области с различна примесна проводимост. При нормална температура всички примесни нива са възбудени и концентрацияна на основните носители е съответно: Pp на Р носителите в Р областта и nn на n носителите в n областта. Същевременно в двете области има и неосновни токови носители с концентрация Pn и np като тези носители са с пъти по-малко от основните. |
| lexicalization | bul: P-n преход |
| lexicalization | bul: P-n-преход |
| Catalan |
| has gloss | cat: Una junció PN, o junció NP, és la unió de dos semiconductors, un de tipus N i un altre de tipus P. |
| lexicalization | cat: Junció PN |
| Czech |
| has gloss | ces: Přechod P-N je oblast na rozhraní příměsového polovodiče typu P a polovodiče typu N. Přechod P-N se chová jako hradlo, tzn. propouští elektrický proud pouze jedním směrem. |
| lexicalization | ces: přechod P-N |
| lexicalization | ces: Přechod PN |
| German |
| has gloss | deu: Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor. Die Besonderheit des p-n-Übergangs ist die Ausbildung zweier Raumladungen (Anreicherung von Ladungsträgern) durch die elektrische Potentialdifferenz zwischen den Akzeptor- und Donatoratomen sowie des entgegengerichteten elektrischen Feldes zwischen den sich nun bildenden Raumladungen (elektrostatisches Gleichgewicht) . Der Bereich, der die beiden Raumladungen einschließt, wird Raumladungszone genannt, der Grenzbereich zwischen den Raumladungen wird als Sperrschicht bezeichnet. Die physikalischen Grundlagen dieser Sperrschicht sind also die Driftgeschwindigkeit sowie das coulombsche Gesetz. Die Bedeutung dieser Anordnung liegt darin, dass sie sich bei äußerer elektrischer Spannungsbeaufschlagung asymmetrisch verhält, d. h., die Ausdehnung der Sperrschicht lässt sich beeinflussen. |
| lexicalization | deu: p-n-Übergang |
| lexicalization | deu: Pn-Übergang |
| Esperanto |
| lexicalization | epo: junto |
| Estonian |
| has gloss | est: Pn-siire on monokristalse pooljuhi ala, milles toimub üleminek aukjuhtivuselt (p-juhtivuselt) elektronjuhtivusele (n-juhtivusele). |
| lexicalization | est: pn-siire |
| Finnish |
| lexicalization | fin: pn-liitos |
| French |
| has gloss | fra: En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant dun dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et dautre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle. Alors quun semi-conducteur dopé est un bon conducteur, la jonction ne laisse quasiment pas passer le courant. La longueur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et dautre de la jonction. Plus cette zone est courte, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique I(V) de la jonction est donc fortement non linéaire : cest celle dune diode. |
| lexicalization | fra: Jonction P-N |
| lexicalization | fra: Jonction PN |
| Hungarian |
| has gloss | hun: A p-n átmenet egy N-típusú félvezető és egy P-típusú félvezető találkozásánál alakul ki. Ilyenkor a szennyező atomok eloszlása megváltozik. A PN átmenet a két különböző szennyezettségű anyag határán jön létre, és csak néhány µm vastagságú. A két réteg érintkezésénél a töltéshordozók koncentrációkülönbsége miatt diffúzió indul meg. |
| lexicalization | hun: p-n átmenet |
| lexicalization | hun: PN átmenet |
| Indonesian |
| has gloss | ind: P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor tipe-N dan tipe-P bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Dapat dilihat sebagai perbatasan antara wilayah antara blok tipe-P dan tipe-N seperti yang diperlihatkan di diagram bawah: |
| lexicalization | ind: Pertemuan p-n |
| Italian |
| has gloss | ita: Una giunzione p-n è un cristallo semiconduttore composto da due zone, una a più elettroni tra i quali alcuni a piu'alta energia (strato n) ed una ad eccedenza di lacune (strato p). Le eccedenze di elettroni e lacune si ottengono mediante drogaggio, con varie tecniche. Il termine giunzione fa riferimento alla regione in cui si incontrano i due tipi di drogaggio (P e N). Può essere pensata come la regione di confine tra i blocchi di tipo P e di tipo N ed è priva di portatori liberi. Ai due lati della giunzione vi è una differenza di potenziale costante, chiamata tensione di built-in. Requisito essenziale è che lo strato di confine sia sottile. |
| lexicalization | ita: Giunzione P-N |
| Japanese |
| has gloss | jpn: pn接合（ぴーえぬせつごう、pn junction）とは、半導体中でp型の領域とn型の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。 |
| lexicalization | jpn: P-n接合 |
| lexicalization | jpn: PN接合 |
| Korean |
| has gloss | kor: P-N 접합(P-N junction)은 N형 반도체와 P형 반도체를 정밀하게 접촉시켜서 만들 수 있다. 접합(면)이라는 말은 이 두가지 반도체가 만나는 부분을 가리킨다. P형과 N형의 경계부분은 다음 그림과 같이 생각할 수 있다. |
| lexicalization | kor: PN 접합 |
| Latvian |
| has gloss | lav: p-n pāreja (n nozīmē negatīvs; elektronu, bet p - pozitīvs, "caurumu") jeb elektronu-caurumu pāreja ir apgabals starp divu dažādu tipu (p -tipa un n -tipa) pusvadītājiem. Šis apgabals, ko dēvē arī par p-n pārejas zonu un kurā vadītspējas tips vairāk vai mazāk strauji mainās no p uz n, parasti ir ļoti plāns (10-5 cm). |
| lexicalization | lav: P-n pāreja |
| Dutch |
| has gloss | nld: Een pn-overgang (Engels: p-n junction) is het grensgebied rond de overgang van n-gedoteerd naar p-gedoteerd halfgeleidermateriaal. Een pn-overgang vormt een sperlaag of uitputtingszone tussen het p-type en n-type materiaal. Een groot deel van de halfgeleidertechnologie berust op de eigenschappen van een pn-overgang. Bijvoorbeeld bij de led (light emitting diode) is er een pn-overgang van de kathode (min) naar de anode (plus). Deze overgang wordt aangeduid als junctie (Engels: junction). |
| lexicalization | nld: pn-overgang |
| Polish |
| has gloss | pol: Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach przewodnictwa: p i n. |
| lexicalization | pol: Złącze p-n |
| lexicalization | pol: Złącze pn |
| Portuguese |
| has gloss | por: Denomina-se junção P-N à estrutura fundamental dos componentes eletrônicos comumente denominados semicondutores, principalmente diodos e transistores. É formada pela junção metalúrgica de dois cristais. geralmente Silício (Si) e (atualmente menos comum) Germânio (Ge), de natureza P e N, segundo sua composição a nível atômico. Estes dois tipos de cristais são obtidos ao se dopar cristais de metal puro intencionalmente com impurezas, normalmente algum outro metal ou composto químico. |
| lexicalization | por: Junção PN |
| Moldavian |
| has gloss | ron: Joncţiunea p-n este un semiconductor eterogen constituit din două regiuni cu conductibilitate de tip opus (p şi n ), care formează o singură reţea cristalină. |
| lexicalization | ron: Joncţiune p-n |
| lexicalization | ron: Joncțiune p-n |
| Russian |
| has gloss | rus: p-n-перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — разновидность гомопереходов, Зоной p-n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p. |
| lexicalization | rus: P — n-переход |
| lexicalization | rus: P-n переход |
| lexicalization | rus: P-n-переход |
| lexicalization | rus: P—n-переход |
| Castilian |
| has gloss | spa: Se denomina unión P-N a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque también se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico. |
| lexicalization | spa: Union PN |
| lexicalization | spa: Unión PN |
| Swedish |
| has gloss | swe: En PN-övergång bildas där n-dopade och p-dopade halvledare kommer i kontakt. Termen övergång syftar på området där de olika halvledartyperna möts. Den kan betraktas som gränsområde mellan de n- och p-dopade områdena i bilden. |
| lexicalization | swe: P-n-övergång |
| lexicalization | swe: PN-övergång |
| Ukrainian |
| has gloss | ukr: p-n перехід - область контакту напівпровідників p- та n-типу, яка характеризується одностороннім пропусканням електричного струму. |
| lexicalization | ukr: p-n перехід |
| Chinese |
| has gloss | zho: PN結（）是由一塊一側參雜成P型半導體，另一側參雜成N型半導體，两侧相连接的电子设备。 |
| lexicalization | zho: PN结 |
