| Information | |
|---|---|
| has gloss | eng: A homojunction is a semiconductor interface that occurs between layers of similar semiconductor material, these materials have equal band gaps but typically have different doping (semiconductor). In most practical cases a homojunction occurs at the interface between an n-type (donor doped) and p-type (acceptor doped) semiconductor such as silicon, this is called a pn junction. This does not have to be the case though, the only requirement is that the same semiconductor (same band gap) is found on both sides of the junction, in contrast to a heterojunction. |
| lexicalization | eng: homojunction |
| instance of | (noun) a thermionic tube having two electrodes; used as a rectifier rectifying tube, rectifying valve, diode |
| Meaning | |
|---|---|
| Polish | |
| has gloss | pol: Homozłącze to złącze p-n, które powstaje w strukturze jednego półprzewodnika (np. krzemu, germanu) rozgraniczając obszar typu p, domieszkowany akceptorami, od obszaru typu n, domieszkowanego donorami. |
| lexicalization | pol: Homozłącze |
| Russian | |
| has gloss | rus: Гомопереход — контакт двух областей с разными типами проводимости (или концентрациями легирующей примеси) в одном и том же кристалле полупроводника. Различают переходы типа p — n или n — p в которых одна из двух контактирующих областей легирована донорами, другая — акцепторами, n+ — n переходы (обе области легированы донорной примесью, но в разной степени; знак + означает большую степень легирования) и p+ — p-переходы (обе области легированы акцепторной примесью). |
| lexicalization | rus: Гомопереход |
Lexvo © 2008-2026 Gerard de Melo. Contact Legal Information / Imprint